導(dǎo)熱聚合物基復(fù)合材料廣泛應(yīng)用于航空航天，微電子封裝，LED照明，熱交換工程，電磁屏蔽等國(guó)防和民用領(lǐng)域，在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域發(fā)揮了重要作用。然而，隨著電子設(shè)備的集成不斷增加，對(duì)材料性能提出了更高的要求。

六方氮化硼（h.BN）微米粉末是一種高導(dǎo)熱性填料，其結(jié)構(gòu)是在SP2混合模式中等量的硼原子和氮原子與六方III-V A形成鍵，具有晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)似于石墨。當(dāng)將六方氮化硼（h.BN）微米粉末薄片剝離至幾納米至幾十納米的厚度時(shí)，可以獲得h-BN納米片（h-BNNS），并且其導(dǎo)熱性，電絕緣性，光學(xué)特性和力學(xué)性能會(huì)發(fā)生顯著的性能變化等。在填充量低的情況下，可以顯著提高聚合物材料的導(dǎo)熱率并且可以保持電絕緣性。然而，由于氮化硼層和層的力遠(yuǎn)大于石墨之間的力，因此通過(guò)六方氮化硼粉末的液相剝離制備納米片更具挑戰(zhàn)性。目前，用于制備六方氮化硼納米片的微機(jī)械剝離方法，化學(xué)氣相沉積方法，二次外延生長(zhǎng)方法等具有能耗高，制備時(shí)間長(zhǎng)，產(chǎn)率低，制備條件苛刻等缺點(diǎn)。六方氮化硼納米片制備片材的液相剝離方法是一種經(jīng)濟(jì)，有效和批量生產(chǎn)的方法。