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離氮化硼的子束濺射沉積法

文章出處：天元航材責(zé)任編輯：天元化工新材廠家發(fā)布時(shí)間：2019-04-03 17:44:24 點(diǎn)擊數(shù)：47 【大 中 小】

[導(dǎo)讀]：激光無(wú)心插柳火成巖法制取氮化硼奈米塑料膜按照純凈度為99.5%的nik箔為結(jié)構(gòu)層做好六方氮化硼pe膜的基性巖。前提將Ni箔由輔組質(zhì)譜儀器實(shí)現(xiàn)原位預(yù)離子注入，之后在1000℃下固溶處理10min。并且在主...

激光無(wú)心插柳火成巖法制取氮化硼奈米塑料膜按照純凈度為99.5%的nik箔為結(jié)構(gòu)層做好六方氮化硼pe膜的基性巖。前提將Ni箔由輔組質(zhì)譜儀器實(shí)現(xiàn)原位預(yù)離子注入，之后在1000℃下固溶處理10min。并且在主質(zhì)譜儀器發(fā)送的氬電子束從六方氮化硼砷化鎵上浪涌出B電子層和N共價(jià)鍵，在除鹽后的Ni箔上完成基性巖，配制氮化硼納米pe膜原料。

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