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現(xiàn)代,電子元件和信通的體積不斷變小,速度不斷變快,對熱處理和可靠性形成了巨大的挑戰(zhàn),尤其是使用壽命淪為關(guān)鍵問題,局部高熱流熱點(diǎn)的熱管理是大功率電子器件的關(guān)鍵,不理想的散熱會造成芯片中特殊區(qū)域溫度過高,影響電子系統(tǒng)性能和電子器件的可靠性,近年來,二維氮化硼被提出可作為一種有前景的散熱材料,很多學(xué)者報道了而為氮化硼在大功率晶體管熱管理中的應(yīng)用。
單層二維氮化硼又被稱為白色石墨,現(xiàn)已成為二維材料家族中的重要一員,它具有與石墨烯類似的結(jié)構(gòu)特征和晶格參數(shù),近年來收到科研界的廣泛關(guān)注,有希望成為在電子元器件中石墨烯的替代品,目前針對二維層狀氮化硼的研究主要集中在制備、電學(xué)性能測試分析和應(yīng)用價值的探討上。由于氮化硼是一種寬帶隙絕緣材料,要選擇合理恰當(dāng)?shù)姆椒ㄕ{(diào)整帶隙結(jié)構(gòu),使其向半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變,是相當(dāng)有難度的工作,從另一個角度考慮二維氮化硼沿著A、B軸平面的熱導(dǎo)率是石英的10倍,而熱膨脹系數(shù)相當(dāng)于石英,是陶瓷中最小的,同時二維氮化硼又很高的電阻率,絕緣性號,加上其物理、化學(xué)的穩(wěn)定性,很適合用于電子器件中的絕緣散熱材料。